У Samsung каждый нанометр на счету: после 7 нм пойдут 6-, 5-, 4- и 3-нм техпроцессы
www.samag.ru
     
Поиск   
              
 www.samag.ru    Web  0 товаров , сумма 0 руб.
E-mail
Пароль  
 Запомнить меня
Регистрация | Забыли пароль?
О журнале
Журнал «БИТ»
Информация для ВАК
Звезды «СА»
Подписка
Где купить
Авторам
Рекламодателям
Магазин
Архив номеров
Вакансии
Игры
Контакты
   

  Опросы

Какие курсы вы бы выбрали для себя?  

Очные
Онлайновые
Платные
Бесплатные
Я и так все знаю

 Читать далее...

1001 и 1 книга  
27.03.2019г.
Просмотров: 540
Комментарии: 0
Arduino Uno и Raspberry Pi 3: от схемотехники к интернету вещей

 Читать далее...

27.03.2019г.
Просмотров: 450
Комментарии: 0
Автоматизация программируемых сетей

 Читать далее...

27.03.2019г.
Просмотров: 473
Комментарии: 0
Изучаем pandas. Второе издание

 Читать далее...

27.03.2019г.
Просмотров: 405
Комментарии: 0
Компьютерное зрение. Теория и алгоритмы

 Читать далее...

13.03.2019г.
Просмотров: 607
Комментарии: 0
DevOps для ИТ-менеджеров

 Читать далее...

Друзья сайта  

Форум системных администраторов  

sysadmins.ru

 У Samsung каждый нанометр на счету: после 7 нм пойдут 6-, 5-, 4- и 3-нм техпроцессы

Просмотров: 197

Сегодня компания Samsung Electronics сообщила о планах по развитию техпроцессов для выпуска полупроводников. Главным текущим достижением компания считает создание цифровых проектов опытных 3-нм чипов на основе патентованных транзисторов MBCFET. Это транзисторы с множеством горизонтальных наностраничных каналов в вертикальных FET-затворах (Multi-Bridge-Channel FET).

В составе альянса с IBM компания Samsung разрабатывала несколько иную технологию производства транзисторов с каналами полностью окружёнными затворами (GAA или Gate-All-Around). Каналы предполагалось делать тонкими в виде нанопроводов. Впоследствии Samsung отошла от этой схемы и запатентовала структуру транзисторов с каналами в виде наностраниц. Такая структура позволяет управлять характеристиками транзисторов за счёт манипуляции как числом страниц (каналов), так и регулируя ширину страниц. Для классической технологии FET подобный манёвр невозможен. Чтобы увеличить мощность FinFET-транзистора необходимо умножать число FET-рёбер на подложке, а это расход площади. Характеристики транзистора MBCFET можно менять в рамках одного физического затвора, для чего нужно задать ширину каналов и их количество.

Наличие цифрового проекта (taped out) опытного чипа для выпуска с использованием техпроцесса GAA позволило Samsung определить границы возможностей транзисторов MBCFET. Следует учитывать, что это пока данные компьютерного моделирования и окончательно о новом техпроцессе можно будет судить только после запуска его в массовое производство. Тем не менее, точка отсчёта есть. В компании сообщили, что переход от 7-нм техпроцесса (очевидно, первого поколения) на техпроцесс GAA обеспечит сокращение площади кристалла на 45 % и снижение потребления на 50 %. Если не экономить на потреблении, то производительность можно увеличить на 35 %. Ранее Samsung экономию и рост производительности при переходе на 3-нм техпроцесс перечисляла через запятую. Оказалось всё-таки, или одно, или другое.

Важным моментом для популяризации 3-нм техпроцесса компания считает подготовку общедоступной облачной платформы для независимых разработчиков чипов и бесфабричных компаний. В Samsung не стали прятать среду разработки, проверки проектов и библиотеки на производственных серверах. Для проектировщиков во всём мире будет доступна платформа SAFE (Samsung Advanced Foundry Ecosystem Cloud). Облачная платформа SAFE создавалась с участием таких крупнейших публичных облачных сервисов, как Amazon Web Services (AWS) и Microsoft Azure. Свои инструменты для проектирования в рамках SAFE предоставили разработчики систем проектирования компании Cadence и Synopsys. Это обещает упростить и удешевить процесс создания новых решений для техпроцессов Samsung.


Читать всю статью

Источник: 3DNews - Daily Digital Digest

               Copyright © Системный администратор

Яндекс.Метрика
Tel.: (499) 277-12-41
Fax: (499) 277-12-45
E-mail: sa@samag.ru