Утилиты в ПО MathCAD для уточненного расчета электрических полей при облучении полимерных пленок электронами низких энергий::Журнал СА 06.2016
www.samag.ru
     
Поиск   
              
 www.samag.ru    Web  0 товаров , сумма 0 руб.
E-mail
Пароль  
 Запомнить меня
Регистрация | Забыли пароль?
Журнал "Системный администратор"
Журнал «БИТ»
Подписка
Архив номеров
Где купить
Наука и технологии
Авторам
Рекламодателям
Контакты
   

  Опросы
  Статьи

Событие  

В банке рассола ждет сисадмина с полей фрактал-кукумбер

Читайте впечатления о слете ДСА 2024, рассказанные волонтером и участником слета

 Читать далее...

Организация бесперебойной работы  

Бесперебойная работа ИТ-инфраструктуры в режиме 24/7 Как обеспечить ее в нынешних условиях?

Год назад ИТ-компания «Крок» провела исследование «Ключевые тренды сервисного рынка 2023». Результаты

 Читать далее...

Книжная полка  

Читайте и познавайте мир технологий!

Издательство «БХВ» продолжает радовать выпуском интересных и полезных, к тому же прекрасно

 Читать далее...

СУБД PostgreSQL  

СУБД Postgres Pro

Сертификация по новым требованиям ФСТЭК и роль администратора без доступа к данным

 Читать далее...

Критическая инфраструктура  

КИИ для оператора связи. Готовы ли компании к повышению уровня кибербезопасности?

Похоже, что провайдеры и операторы связи начали забывать о требованиях законодательства

 Читать далее...

Архитектура ПО  

Архитектурные метрики. Качество архитектуры и способность системы к эволюционированию

Обычно соответствие программного продукта требованиям мы проверяем через скоуп вполне себе понятных

 Читать далее...

Как хорошо вы это знаете  

Что вам известно о разработках компании ARinteg?

Компания ARinteg (ООО «АРинтег») – системный интегратор на российском рынке ИБ –

 Читать далее...

Графические редакторы  

Рисование абстрактных гор в стиле Paper Cut

Векторный графический редактор Inkscape – яркий представитель той прослойки open source, с

 Читать далее...

День сисадмина  

Учите матчасть! Или как стать системным администратором

Лето – время не только отпусков, но и хорошая возможность определиться с профессией

 Читать далее...

День сисадмина  

Живой айтишник – это всегда движение. Остановка смерти подобна

Наши авторы рассказывают о своем опыте и дают советы начинающим системным администраторам.

 Читать далее...

Виртуализация  

Рынок решений для виртуализации

По данным «Обзора российского рынка инфраструктурного ПО и перспектив его развития», сделанного

 Читать далее...

Книжная полка  

Как стать креативным и востребованным

Издательский дом «Питер» предлагает новинки компьютерной литературы, а также книги по бизнесу

 Читать далее...

Книжная полка  

От создания сайтов до разработки и реализации API

В издательстве «БХВ» недавно вышли книги, которые будут интересны системным администраторам, создателям

 Читать далее...

Разбор полетов  

Ошибок опыт трудный

Как часто мы легко повторяем, что не надо бояться совершать ошибки, мол,

 Читать далее...

1001 и 1 книга  
19.03.2018г.
Просмотров: 6188
Комментарии: 0
Машинное обучение с использованием библиотеки Н2О

 Читать далее...

12.03.2018г.
Просмотров: 6898
Комментарии: 0
Особенности киберпреступлений в России: инструменты нападения и защита информации

 Читать далее...

12.03.2018г.
Просмотров: 4181
Комментарии: 0
Глубокое обучение с точки зрения практика

 Читать далее...

12.03.2018г.
Просмотров: 2986
Комментарии: 0
Изучаем pandas

 Читать далее...

12.03.2018г.
Просмотров: 3791
Комментарии: 0
Программирование на языке Rust (Цветное издание)

 Читать далее...

19.12.2017г.
Просмотров: 3802
Комментарии: 0
Глубокое обучение

 Читать далее...

19.12.2017г.
Просмотров: 6296
Комментарии: 0
Анализ социальных медиа на Python

 Читать далее...

19.12.2017г.
Просмотров: 3150
Комментарии: 0
Основы блокчейна

 Читать далее...

19.12.2017г.
Просмотров: 3445
Комментарии: 0
Java 9. Полный обзор нововведений

 Читать далее...

16.02.2017г.
Просмотров: 7261
Комментарии: 0
Опоздавших не бывает, или книга о стеке

 Читать далее...

17.05.2016г.
Просмотров: 10627
Комментарии: 0
Теория вычислений для программистов

 Читать далее...

30.03.2015г.
Просмотров: 12348
Комментарии: 0
От математики к обобщенному программированию

 Читать далее...

18.02.2014г.
Просмотров: 13979
Комментарии: 0
Рецензия на книгу «Читаем Тьюринга»

 Читать далее...

13.02.2014г.
Просмотров: 9109
Комментарии: 0
Читайте, размышляйте, действуйте

 Читать далее...

12.02.2014г.
Просмотров: 7063
Комментарии: 0
Рисуем наши мысли

 Читать далее...

10.02.2014г.
Просмотров: 5373
Комментарии: 3
Страна в цифрах

 Читать далее...

18.12.2013г.
Просмотров: 4603
Комментарии: 0
Большие данные меняют нашу жизнь

 Читать далее...

18.12.2013г.
Просмотров: 3412
Комментарии: 0
Компьютерные технологии – корень зла для точки роста

 Читать далее...

04.12.2013г.
Просмотров: 3142
Комментарии: 0
Паутина в облаках

 Читать далее...

03.12.2013г.
Просмотров: 3388
Комментарии: 0
Рецензия на книгу «MongoDB в действии»

 Читать далее...

02.12.2013г.
Просмотров: 3010
Комментарии: 0
Не думай о минутах свысока

 Читать далее...

Друзья сайта  

 Утилиты в ПО MathCAD для уточненного расчета электрических полей при облучении полимерных пленок электронами низких энергий

Архив номеров / 2016 / Выпуск №6 (163) / Утилиты в ПО MathCAD для уточненного расчета электрических полей при облучении полимерных пленок электронами низких энергий

Рубрика: Наука и технологии

Без фото ЗВЕЗДОВ Д.С., Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», dzvezdov@hse.ru

Без фото АБРАМЕШИН Д.А., Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», dabrameshin@hse.ru

Без фото ГРАНОВСКИЙ В.С., Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики», manianell@mail.ru

Утилиты в ПО MathCAD
для уточненного расчета электрических полей при облучении полимерных пленок электронами низких энергий

В данной работе рассмотрена математическая модель Роуза-Фаулера-Вайcберга, которая анализирует радиационную электропроводность полимерных пленок при облучении электронами низких энергий. В ходе проведенных исследований было разработано специальное программное обеспечение в математической среде MathCAD, которое позволяет проводить расчеты по поглощенной дозе, полевой зависимости и частотному фактору радиационной электропроводности. Данное программное обеспечение используется для проведения экспериментов в лаборатории функциональной безопасности космических аппаратов и систем

Введение

Полимерные материалы нашли широкое применение в различных областях человеческой деятельности, в том числе в космической технике и ядерной энергетике [1]. Как в первом, так и во втором случае при эксплуатации полимерные материалы подвергаются воздействию ионизирующей радиации. Естественно, что при таком воздействии меняются электрофизические свойства этих материалов. Такие изменения свойств принято называть радиационными эффектами. Радиационные эффекты условились делить на два класса: обратимые радиационные эффекты и необратимые эффекты. Необратимые или пострадиационные эффекты имеют место в механических и оптических свойствах полимеров. Например, наблюдается необратимое снижение прочности на разрыв. Основной обратимый радиационный эффект – это эффект значительного увеличения удельной объемной электропроводности полимера в поле действия радиации и быстрого снижения электропроводности при прекращении облучения [2]. Такую электропроводность полимера называют радиационной электропроводностью (РЭ). РЭ – это основной фактор, который контролирует объемное заряжение полимеров при их облучении электронами. Изучению этого явления и посвящена настоящая работа.

Для проведения расчетов РЭ в настоящее время используется полуэмпирическая модель Роуза-Фаулера-Вайсберга (РВФ) [3]:

Формула 1

В данной системе уравнений (1) приняты следующие обозначения:

  • N(t) – полная концентрация основных носителей заряда (в дальнейшем электронов);
  • g0 – скорость объемной генерации носителей заряда;
  • kr – коэффициент объемной рекомбинации подвижных электронов с дырками, выступающими в качестве центров рекомбинации;
  • kc – константа скорости захвата квазисвободных электронов на ловушки;
  • M0 – суммарная концентрация ловушек, экспоненциально распределенных по энергии (E > 0 и отсчитывается вниз от дна зоны переноса);
  • ρ(E,t) – энергетическая плотность распределения захваченных электронов;
  • ν0 – эффективный частотный фактор термического освобождения носителей заряда из ловушек;
  • E1 – параметр экспоненциального распределения ловушек по энергии.

Как видно из системы уравнений модели РФВ, концентрация носителей заряда в проводящем состоянии N0(t) с микроскопической подвижностью μ0 вычисляется при решении системы уравнений РФВ.

По определению плотность радиационного тока описывается следующим выражением:

Формула 2

где:

  • F – величина приложенного электрического поля [В/м];
  • γr – радиационная электропроводность [Ом-1м-1];;
  • e – заряд электрона [Кл].

Заряд электрона и микроскопическая подвижность являются постоянными величинами, следовательно, на кинетику радиационной электропроводности и ее полевую зависимость влияет исключительно кинетика изменения концентрации носителей заряда в проводящем состоянии N0(t).

Генерация носителей заряда

Концентрация генерируемых носителей заряда определяется мощностью дозы ионизирующей радиации. Для случая электронного излучения имеет место специфическое распределение мощности поглощенной дозы по толщине образца.

Рисунок 1. Кривая распределения поглощенной дозы электронного излучения по глубине образца полимерного материала (полиэтилентерефталата)

Рисунок 1. Кривая распределения поглощенной дозы электронного излучения по глубине образца полимерного материала (полиэтилентерефталата)

Нами экспериментально определено это распределение (см. рис. 1) для электронов с энергией (30...65) кэВ, которое аппроксимировано аналитической функцией:

Формула 3

В выражении (3) ξ – это отношение текущей толщины образца полимера к величине максимального пробега электронов данной энергии в рассматриваемом полимере lm.

С помощью ПО MathCAD была создана программа расчета поглощенной дозы с учетом фактора ее накопления по глубине образца. Сам фактор накопления поглощенной дозы определятся выражением:

Формула 4

Из рис. 1 мы видим, что глубинный ход дозы по образцу является сильно неравномерным. Кривая проходит через максимум и затем спадает до нуля в конце пробега электронов. Рост поглощенной дозы с глубиной на начальном участке кривой объясняется тем, что сечение взаимодействия, плотность ионизации и, соответственно, поглощенная доза растут по мере того, как электрон теряет свою энергию в соударениях с молекулами среды. Однако общее количество первичных электронов, проходящих через слои образца, с ростом глубины падает, что приводит к уменьшению поглощенной дозы с увеличением глубины. Это хорошо видно на конечном участке кривой. Конкуренцией вышеуказанных факторов иобъясняется наличие максимума на кривой глубинного хода дозы.

Для точного расчета поглощенной дозы электронного излучения при использовании даже тонких образцов, толщина которых соизмерима с величиной пробега электронов в данном образце, необходимо учитывать пространственную зависимость мощности поглощенной дозы. Мощность дозы электронного излучения определяется при этом как:

Формула 5

где

  • Re – расчетная (усредненная) мощность дозы электронного излучения;
  • K – фактор накопления поглощенной дозы из выражения (4);
  • Ie – плотность тока облучающих образец электронов;
  • dE/dx – тормозная способность полимерного материала для электронов данной энергии (значение выбирается из таблиц), определяющая мощность дозы на облучаемой поверхности.

Входными данными для расчета мощности поглощенной дозы являются плотность тока облучающих образец электронов, энергия электронов, толщина образца и тип полимерного материала, из которого приготовлен образец.

Полевая зависимость

Полевая зависимость РЭ полимеров обусловлена влиянием приложенного электрического поля на радиационно-химический выход зарядов, принимающих участие в переносе электрического тока. Вероятность Ω того, что электронно-дырочная пара будет разделена, определяется начальным расстоянием разделения зарядов в ней, типичное значение которого составляет r0 = 6 нм.

Вероятность разделения пары электрон – материнский ион является нелинейной функцией приложенного электрического поля. Это приводит к тому, что при увеличении поля в два раза электропроводность может возрасти в три, в четыре раза. Причем такое поведение РЭ характерно для сильных полей. В слабых полях зависимость РЭ от приложенного поля независит.

Примем следующие обозначения:

  • ε0 – электрическая постоянная, [Ф/м];
  • ε – относительная диэлектрическая проницаемость среды;
  • k – постоянная Больцмана, [Дж/К];
  • e – заряд электрона, [Кл];
  • T – температура, 290 [К].

Вероятность разделения в отсутствие внешнего электрического поля равна:

Формула 6

так называемый радиус Онзагера, определяющий сферу кулоновского взаимодействия зарядов геминальной пары при температуре T среды.

В области средних и сильных электрических полей используется предложенная Онзагером формула:

Формула 7

Для расчета полевой зависимости радиационной электропроводности полимера была разработана подпрограмма MathCAD. Результаты вычислений программы для случая средних исильных полей наглядно представлены на следующем графике (см. рис. 2).

Рисунок 2. Кривая зависимости вероятности разделения электронно-дырочной пары от приложенного поля

Рисунок 2. Кривая зависимости вероятности разделения электронно-дырочной пары от приложенного поля

Захват и высвобождение электронов с ловушек

Итак, как было указано выше, ионизирующее излучение воздействует на непроводящий в обычном состоянии материал, выбивая из атомов этого материала электроны. Таким образом, образуются дырки, которые принимаются неподвижными, и электроны, свободно дрейфующие по объему материала.

Необходимо учитывать, что движение электрона происходит среди дырок (ионов) и ловушек, энергия которых распределена по экспоненциальному закону. Определение характеристики рекомбинации – процесса захвата ионизированным атомом движущегося электрона – необходимо для вычисления величины радиационной электропроводности материала. Не менее важную роль играет частотный фактор – частота попыток выхода электрона с ловушки. С его ростом максимальная электропроводность увеличивается, а время установления квазиравновесия, наоборот, сокращается.

Можно заключить, что процесс переноса тока в объеме полимера происходит посредством многочисленных последовательных серий захватов электронов на ловушки ипоследующих освобождений с них. Поэтому модель РФВ также известна как модель многократного захвата.

Процессы многократного захвата описывают два последних уравнения модели РФВ. Необходимо иметь в виду, что процесс прямого обмена электронами между ловушками нерассматривается. Перераспределение электронов по ловушкам происходит исключительно посредством зоны проводимости, в которую забрасываются электроны за счет теплового движения.

Заключение

В настоящей работе рассмотрена полуэмпирическая модель РЭ Роуза-Фаулера-Вайсберга. При анализе данной модели установлено, что ее необходимо дополнить сторонним программным обеспечением для проведения расчетов объемного заряжения полимеров электронами. Это стороннее программное обеспечение должно учитывать три аспекта, которые отсутствуют в модели РФВ. Во-первых, это уточненный расчет генерации носителей заряда, который учитывает реальное распределение поглощенной дозы по глубине образца. Во-вторых, расчет электрических полей в полимере при их облучении электронами должен принимать во внимание сверхлинейную зависимость радиационного тока отэлектрического поля, которая в разработанной подпрограмме MathCAD дается в виде решения задачи Онзагера в области средних и сильных полей. Здесь следует отметить, чтоуказанная сверхлинейность вольт-амперной характеристики радиационного тока способствует снижению максимально достижимого электрического поля в полимере при егооблучении электронами. И, наконец, третья уточняющая процедура – это рост РЭ за счет сверхлинейной зависимости частотного фактора ν0, присутствующего в модели РВФ (1), отэлектрического поля за счет эффекта Пула-Френкеля.

Предложенные утилиты предназначены в первую очередь для того, чтобы создать более комфортные условия при проведении экспериментальных испытаний в Учебно-исследовательской лаборатории Функциональной безопасности космических аппаратов и систем МИЭМ НИУ ВШЭ. Кроме того, эти утилиты планируется встроить в программу расчета электрических полей, возникающих при облучении полимеров электронами, для проведения более корректных расчетов этих полей. eof

  1. Тютнев А.П., Саенко В.С., Пожидаев Е.Д., Костюков Н.С. Диэлектрические свойства полимеров в полях ионизирующих излучений. – М.: «Наука», 2005. – 453 с.
  2. Тютнев А.П., Ихсанов Р.Ш., Саенко В.С., Пожидаев Е.Д. Теоретический анализ модели Роуза-Фаулера-Вайсберга //. Высокомолек. соед. А. 2006. Т. 48. №11. – С. 2015-2022.
  3. Безродных И.П., Тютнев А.П., Семенов В.Т. Радиационные эффекты в космосе / Отв. ред.: А. П. Тютнев. Ч. 2: Воздействие космической радиации на электротехнические материалы. – М.: АО «Корпорация «ВНИИЭМ», 2016.

Ключевые слова: радиационная физика; программное обеспечение, MathCAD, полимерные материалы, полевая зависимость, частотный фактор, мощность поглощенной дозы.


The MathCAD based mathematical packet for calculating electric fields in polymer films irradiated with low energy electrons

D. S. Zvezdov, , D. A. Abrameshin, V. S. Granovsky

National Research University Higher School of Economics

Summary: The Rose-Fowler-Vaisberg model which analyzes polymer radiation conductivity at strong electric fields has been considered. Special software has been developed based on the MathCAD mathematical packet. We employed it to calculate the absorbed dose, the field dependent conductivity and the frequency factor of the model as well as to analyze experimental data obtained in the Laboratory of Space Vehicles and Systems Functional Safety.

Keywords: Radiation physics, software, MathCAD, polymers, field dependency, absorbed dose, frequency factor.


Комментарии отсутствуют

Добавить комментарий

Комментарии могут оставлять только зарегистрированные пользователи

               Copyright © Системный администратор

Яндекс.Метрика
Tel.: (499) 277-12-45
E-mail: sa@samag.ru