Компьютерное моделирование радиационного заряжения слабопроводящих диэлектриков::Журнал СА 4.2015
www.samag.ru
Журнал «БИТ. Бизнес&Информационные технологии»      
Поиск   
              
 www.samag.ru    Web  0 товаров , сумма 0 руб.
E-mail
Пароль  
 Запомнить меня
Регистрация | Забыли пароль?
Журнал "Системный администратор"
Журнал «БИТ»
Подписка
Архив номеров
Где купить
Наука и технологии
Авторам
Рекламодателям
Контакты
   

  Опросы
1001 и 1 книга  
19.03.2018г.
Просмотров: 7288
Комментарии: 0
Машинное обучение с использованием библиотеки Н2О

 Читать далее...

12.03.2018г.
Просмотров: 7600
Комментарии: 0
Особенности киберпреступлений в России: инструменты нападения и защита информации

 Читать далее...

12.03.2018г.
Просмотров: 4977
Комментарии: 0
Глубокое обучение с точки зрения практика

 Читать далее...

12.03.2018г.
Просмотров: 3242
Комментарии: 0
Изучаем pandas

 Читать далее...

12.03.2018г.
Просмотров: 4044
Комментарии: 0
Программирование на языке Rust (Цветное издание)

 Читать далее...

19.12.2017г.
Просмотров: 4042
Комментарии: 0
Глубокое обучение

 Читать далее...

19.12.2017г.
Просмотров: 6546
Комментарии: 0
Анализ социальных медиа на Python

 Читать далее...

19.12.2017г.
Просмотров: 3390
Комментарии: 0
Основы блокчейна

 Читать далее...

19.12.2017г.
Просмотров: 3669
Комментарии: 0
Java 9. Полный обзор нововведений

 Читать далее...

16.02.2017г.
Просмотров: 7524
Комментарии: 0
Опоздавших не бывает, или книга о стеке

 Читать далее...

17.05.2016г.
Просмотров: 10898
Комментарии: 0
Теория вычислений для программистов

 Читать далее...

30.03.2015г.
Просмотров: 12613
Комментарии: 0
От математики к обобщенному программированию

 Читать далее...

18.02.2014г.
Просмотров: 14345
Комментарии: 0
Рецензия на книгу «Читаем Тьюринга»

 Читать далее...

13.02.2014г.
Просмотров: 9344
Комментарии: 0
Читайте, размышляйте, действуйте

 Читать далее...

12.02.2014г.
Просмотров: 7299
Комментарии: 0
Рисуем наши мысли

 Читать далее...

10.02.2014г.
Просмотров: 5592
Комментарии: 4
Страна в цифрах

 Читать далее...

18.12.2013г.
Просмотров: 4816
Комментарии: 0
Большие данные меняют нашу жизнь

 Читать далее...

18.12.2013г.
Просмотров: 3649
Комментарии: 0
Компьютерные технологии – корень зла для точки роста

 Читать далее...

04.12.2013г.
Просмотров: 3348
Комментарии: 0
Паутина в облаках

 Читать далее...

03.12.2013г.
Просмотров: 3574
Комментарии: 1
Рецензия на книгу «MongoDB в действии»

 Читать далее...

02.12.2013г.
Просмотров: 3242
Комментарии: 0
Не думай о минутах свысока

 Читать далее...

Друзья сайта  

 Компьютерное моделирование радиационного заряжения слабопроводящих диэлектриков

Архив номеров / 2015 / Выпуск №4 (149) / Компьютерное моделирование радиационного заряжения слабопроводящих диэлектриков

Рубрика: Наука и технологии

Абрамешин А.Е., Азаров М.Д., Пожидаева А.Е.

Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»

AAbrameshin@hse.ru, mdazarov@edu.hse.ruaepozhidaeva@edu.hse.ru

Компьютерное моделирование

радиационного заряжения слабопроводящих диэлектриков

Проведено компьютерное моделирование радиационного заряжения диэлектриков с удельной объемной проводимостью 10-9–10-14 Ом-1∙м-1. Показано, что чем выше проводимость, тем лучше обеспечивается сток заряда, вносимого в диэлектрик при электронном облучении, и уменьшается вероятность возникновения электростатических разрядов. Результаты моделирования находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными, полученными для ряда специально изготовленных образцов композитного модельного диэлектрика с задаваемыми значениями удельной объемной проводимости.

Существующая проблема воздействия электростатических разрядов на электронные устройства связана с возникновением, накоплением и длительным сохранением электрических зарядов в материалах, применяемых присоздании этих средств [6, 9]. Последствием такого воздействия являются сбои, отказы и выход из строя электронных средств. Поэтому необходима разработка комплекса всесторонних мер по защите аппаратуры от этого воздействия начиная от применения антистатических материалов и покрытий и заканчивая применением защитной одежды и ионизаторов. При этом значительное внимание уделяется вопросам моделирования условий испытаний на воздействие электростатического разряда. Источниками электризации могут быть как перенос электростатических зарядов со стороны оборудования и персонала для наземной аппаратуры, так и потоки высокоэнергетических заряженных частиц космической плазмы в случае бортовой аппаратуры космических аппаратов.

Защита от поражающих факторов электризации космических аппаратов (КА) проводится, как правило, по двум направлениям [4]: исключение электростатических разрядов (ЭСР) в кабельной изоляции [8] и применение различных схемотехнических решений, ослабляющих воздействие импульсов от ЭСР на электронные схемы [1]. Но существует еще один важный поражающий фактор электризации, суть которого состоит в том, чтоэлектростатические разряды попадают в печатные платы, содержащиеся в блоках электроники [5]. Эти разряды создают мощные электрические импульсы, которые поступают на выводы компонентов электронных схем (ИМС, транзисторов, диодов и др.). Этот поражающий фактор обычно рассматривают как фактор внутренней электризации КА. Более ранние конструкции КА, в которых бортовая радиоэлектронная аппаратура (БРЭА) функционировала в газовой среде внутри гермоконтейнера, были почти на 100% защищены от этого поражающего фактора. Но отказ от гермоконтейнеров автоматически привел к его проявлению, причем частота возникновения сбоев и отказов бортовой радиоэлектроники будет возрастать по мере разработки новых поколений КА.

 

Статью целиком читайте в журнале «Системный администратор», №4 за 2015 г. на страницах 91-95.

PDF-версию данного номера можно приобрести в нашем магазине.


Комментарии отсутствуют

Добавить комментарий

Комментарии могут оставлять только зарегистрированные пользователи

               Copyright © Системный администратор

Яндекс.Метрика
Tel.: (499) 277-12-45
E-mail: sa@samag.ru