Опросы |
Статьи |
Электронный документооборот
5 способов повысить безопасность электронной подписи
Область применения технологий электронной подписи с каждым годом расширяется. Все больше задач
Читать далее...
|
Рынок труда
Системные администраторы по-прежнему востребованы и незаменимы
Системные администраторы, практически, есть везде. Порой их не видно и не слышно,
Читать далее...
|
Учебные центры
Карьерные мечты нужно воплощать! А мы поможем
Школа Bell Integrator открывает свои двери для всех, кто хочет освоить перспективную
Читать далее...
|
Гость номера
Дмитрий Галов: «Нельзя сказать, что люди становятся доверчивее, скорее эволюционирует ландшафт киберугроз»
Использование мобильных устройств растет. А вместе с ними быстро растет количество мобильных
Читать далее...
|
Прошу слова
Твердая рука в бархатной перчатке: принципы soft skills
Лауреат Нобелевской премии, специалист по рынку труда, профессор Лондонской школы экономики Кристофер
Читать далее...
|
|
|
1001 и 1 книга
|
19.03.2018г.
Просмотров: 9930
Комментарии: 0
Потоковая обработка данных
Читать далее...
|
19.03.2018г.
Просмотров: 8138
Комментарии: 0
Релевантный поиск с использованием Elasticsearch и Solr
Читать далее...
|
19.03.2018г.
Просмотров: 8245
Комментарии: 0
Конкурентное программирование на SCALA
Читать далее...
|
19.03.2018г.
Просмотров: 5221
Комментарии: 0
Машинное обучение с использованием библиотеки Н2О
Читать далее...
|
12.03.2018г.
Просмотров: 5905
Комментарии: 0
Особенности киберпреступлений в России: инструменты нападения и защита информации
Читать далее...
|
|
|
Друзья сайта
|
|
|
|
|
Samsung рассказала о транзисторах, которые придут на смену FinFET.
Источник: 3DNews - Daily Digital Digest
|
Просмотров: 620 |
Как неоднократно сообщалось, с транзистором размерами менее 5 нм надо что-то делать. Сегодня производители чипов самые передовые решения выпускают с использованием вертикальных затворов FinFET. Транзисторы FinFET ещё можно будет выпускать с использованием 5-нм и 4-нм техпроцесса (чтобы ни понималось под этими нормами), но уже на этапе производства 3-нм полупроводников структуры FinFET перестают работать так, как надо. Затворы транзисторов оказываются слишком малы, а управляющее напряжение недостаточно низким, чтобы транзисторы продолжали выполнять свою функцию вентилей в интегральных схемах. Поэтому отрасль и, в частности, компания Samsung, начиная с 3-нм техпроцесса перейдёт на изготовление транзисторов с кольцевыми или всеохватывающими затворами GAA (Gate-All-Around). Свежим пресс-релизом компания Samsung как раз представила наглядную инфографику о структуре новых транзисторов и о преимуществе их использования.
Читать всю статью
Источник: Геннадий Детинич / 3DNews - Daily Digital Digest
Фото: Samsung Electronics
Facebook
Мой мир
Вконтакте
Одноклассники
Google+
|
|
|