Samsung рассказала о транзисторах, которые придут на смену FinFET.
www.samag.ru
     
Поиск   
              
 www.samag.ru    Web  0 товаров , сумма 0 руб.
E-mail
Пароль  
 Запомнить меня
Регистрация | Забыли пароль?
О журнале
Журнал «БИТ»
Информация для ВАК
Звезды «СА»
Подписка
Где купить
Авторам
Рекламодателям
Магазин
Архив номеров
Вакансии
Игры
Контакты
   

  Опросы

Какие курсы вы бы выбрали для себя?  

Очные
Онлайновые
Платные
Бесплатные
Я и так все знаю

 Читать далее...

1001 и 1 книга  
27.03.2019г.
Просмотров: 527
Комментарии: 0
Arduino Uno и Raspberry Pi 3: от схемотехники к интернету вещей

 Читать далее...

27.03.2019г.
Просмотров: 438
Комментарии: 0
Автоматизация программируемых сетей

 Читать далее...

27.03.2019г.
Просмотров: 462
Комментарии: 0
Изучаем pandas. Второе издание

 Читать далее...

27.03.2019г.
Просмотров: 393
Комментарии: 0
Компьютерное зрение. Теория и алгоритмы

 Читать далее...

13.03.2019г.
Просмотров: 598
Комментарии: 0
DevOps для ИТ-менеджеров

 Читать далее...

Друзья сайта  

Форум системных администраторов  

sysadmins.ru

 Samsung рассказала о транзисторах, которые придут на смену FinFET.

Источник: 3DNews - Daily Digital Digest Просмотров: 178

Как неоднократно сообщалось, с транзистором размерами менее 5 нм надо что-то делать. Сегодня производители чипов самые передовые решения выпускают с использованием вертикальных затворов FinFET. Транзисторы FinFET ещё можно будет выпускать с использованием 5-нм и 4-нм техпроцесса (чтобы ни понималось под этими нормами), но уже на этапе производства 3-нм полупроводников структуры FinFET перестают работать так, как надо. Затворы транзисторов оказываются слишком малы, а управляющее напряжение недостаточно низким, чтобы транзисторы продолжали выполнять свою функцию вентилей в интегральных схемах. Поэтому отрасль и, в частности, компания Samsung, начиная с 3-нм техпроцесса перейдёт на изготовление транзисторов с кольцевыми или всеохватывающими затворами GAA (Gate-All-Around). Свежим пресс-релизом компания Samsung как раз представила наглядную инфографику о структуре новых транзисторов и о преимуществе их использования.

Читать всю статью

Источник: Геннадий Детинич / 3DNews - Daily Digital Digest

Фото: Samsung Electronics

               Copyright © Системный администратор

Яндекс.Метрика
Tel.: (499) 277-12-41
Fax: (499) 277-12-45
E-mail: sa@samag.ru