TSMC: переход от 7 нм к 5 нм повышает плотность размещения транзисторов на 80 %
www.samag.ru
     
Поиск   
              
 www.samag.ru    Web  0 товаров , сумма 0 руб.
E-mail
Пароль  
 Запомнить меня
Регистрация | Забыли пароль?
О журнале
Журнал «БИТ»
Подписка
Где купить
Авторам
Рекламодателям
Магазин
Архив номеров
Вакансии
Контакты
   

ЭКСПЕРТНАЯ СЕССИЯ 2019


  Опросы

Какие курсы вы бы выбрали для себя?  

Очные
Онлайновые
Платные
Бесплатные
Я и так все знаю

 Читать далее...

1001 и 1 книга  
28.05.2019г.
Просмотров: 914
Комментарии: 1
Анализ вредоносных программ

 Читать далее...

28.05.2019г.
Просмотров: 1024
Комментарии: 1
Микросервисы и контейнеры Docker

 Читать далее...

28.05.2019г.
Просмотров: 779
Комментарии: 0
Django 2 в примерах

 Читать далее...

28.05.2019г.
Просмотров: 625
Комментарии: 0
Введение в анализ алгоритмов

 Читать далее...

27.03.2019г.
Просмотров: 1228
Комментарии: 0
Arduino Uno и Raspberry Pi 3: от схемотехники к интернету вещей

 Читать далее...

Друзья сайта  

Форум системных администраторов  

sysadmins.ru

 TSMC: переход от 7 нм к 5 нм повышает плотность размещения транзисторов на 80 %

Источник: 3DNews - Daily Digital Digest Просмотров: 615

Компания TSMC на этой неделе уже анонсировала освоение новой ступени литографических технологий, получившей условное обозначение N6. В пресс-релизе сообщалось, что данная ступень литографии будет доведена до стадии рискового производства к первому кварталу 2020 года, но только стенограмма квартальной отчётной конференции TSMC позволила узнать новые подробности о сроках освоения так называемой 6-нм технологии.

Следует напомнить, что TSMC уже серийно выпускает широкую номенклатуру 7-нм изделий — в минувшем квартале они формировали 22 % выручки компании. По прогнозам руководства TSMC, в текущем году на долю техпроцессов N7 и N7+ будет приходиться не менее 25 % выручки. Второе поколение 7-нм техпроцесса (N7+) подразумевает более широкое применение литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV). В то же время, как подчёркивают представители TSMC, именно полученный при внедрении техпроцесса N7+ опыт позволил компании предложить клиентам техпроцесс N6, который полностью повторяет по экосистеме проектирования N7. Это позволяет разработчикам в кратчайшие сроки и с минимальными материальными затратами перейти с N7 или N7+ на N6. Генеральный директор Си Си Вэй (C.C. Wei) на квартальной конференции даже выразил уверенность, что все клиенты TSMC, использующие 7-нм техпроцесс, перейдут на использование 6-нм технологии. Ранее он в аналогичном контексте упоминал о готовности «почти всех» пользователей 7-нм техпроцесса TSMC мигрировать на 5-нм техпроцесс.

Уместно будет пояснить, какие преимущества обеспечивает 5-нм техпроцесс (N5) в исполнении TSMC. Как признался Си Си Вэй, по продолжительности жизненного цикла N5 будет одним из самых «долгоиграющих» в истории компании. При этом от 6-нм техпроцесса с точки зрения разработчика он будет существенно отличаться, поэтому переход на 5-нм нормы проектирования потребует существенных усилий. Например, если 6-нм техпроцесс по сравнению с 7-нм обеспечивает увеличение плотности размещения транзисторов на 18 %, то разница между 7-нм и 5-нм будет достигать 80 %. С другой стороны, прирост быстродействия транзисторов при этом не превысит 15 %, так что тезис о замедлении действия «закона Мура» в данном случае подтверждается.


Читать всю статью

Источник: Алексей Разин / 3DNews - Daily Digital Digest

Фото: 3DNews - Daily Digital Digest

 

               Copyright © Системный администратор

Яндекс.Метрика
Tel.: (499) 277-12-41
Fax: (499) 277-12-45
E-mail: sa@samag.ru